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Home 全行業 信息技術

以創新引領功率未來,英飛凌亮相PCIM Asia 2025

by Joyce Jin
2025年9月29日
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在9月24日至26日舉辦的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會(以下簡稱PCIM Asia 2025)”上,全球功率半導體技術領導者英飛凌以“創新”加持,集中展示了面向綠色能源、電動化出行、AI算力電源等關鍵應用領域的創新產品及系統解決方案,全面覆蓋基於硅及寬禁帶半導體材料的高能效、高功率密度產品,凸顯了其在當下推動能源轉型與智能化發展方面的技術引領作用。

本次展會,英飛凌的創新展示圍繞“綠色能源”、 “電動化出行” “賦能AI” 和“硅及寬禁帶”四大板塊展開。通過覆蓋多應用場景的高性能產品組合與多款首次亮相的解決方案,英飛凌充分彰顯了其在提升系統能效、功率密度及可靠性方面的持續創新實力,鞏固了其在功率半導體技術演進中的領導地位。

 

新品速遞:三大關鍵技術持續演進

  • 硅:CoolSET™ SiP集成了 800 V P7 CoolMOS™ 、ZVS 主控制器和次級 SR 控制器,並採用 CT Link 技術實現隔離通信,在小型 SMD 封裝內可實現高達 60 W 的功率輸送。ZVS 反激解決方案降低了 BOM和開關損耗,並提高了 EMI 性能,同時實現了高於 94% 的效率,特別適合對空間和能效要求極高的AI服務器輔助電源及高端家電應用。
  • 碳化硅:推出CoolSiC™ MOSFET 2025年度最新產品,包括CoolSiC™ MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合以及CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模塊。其中,1200V產品採用Q-DPAK TSC頂部散熱封裝,能提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度;新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V經過優化設計,適配1000V以上母線電壓,電流承載能力顯著提升,產品最低導通電阻可低至6mΩ,性能指標行業領先,適用於光儲等高功率場景。CoolSiC™ MOSFET 碳化硅模塊運用到了多種先進封裝,從最新的Easy 2C到標準的Econo PACK,再到高壓2300V/3300V XHP,覆蓋從光儲到工業、及大功率風電多種應用領域。英飛凌還推出了CoolSiC™ MOSFET G2 750V。它提供車規和工規兩個系列,其中Q-DPAK 頂部散熱封裝產品導通內阻低至4mΩ,達到行業領先水平,具有優異的抗寄生導通能力,支持單級驅動,支持最高節溫200度過載運行,幫助客戶實現更高的功率密度和集成度。
  • 氮化鎵:CoolGaN™ 全系列產品電壓覆蓋從60V到800V,提供多種封裝選擇。CoolGaN™ BDS 雙向開關利用同一漂移區實現雙向耐壓與電流控制,簡化了其拓撲結構;而高度集成的 CoolGaN™ Drive 模塊,則融合了GaN晶體管、智能柵極驅動器與電流感應功能,為高頻、高效電源設計樹立了新典範。

 

綠色能源:創新驅動光儲系統、電動汽車充電與熱泵的高效升級

在綠色能源展區,英飛凌重點展示了光伏、儲能、電動汽車充電及熱泵領域的高能效解決方案。繼2024年發布的CoolSiC™ MOSFET G2技術後,英飛凌陸續在更多細分產品領域深化應用。新一代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V/1400V產品具備優異熱管理與功率密度,適用於電動汽車充電樁、光伏逆變器、不間斷電源等工業場景。

在電動汽車充電領域,英飛凌推出新款CoolSiC™ MOSFET G2 Easy 2C系列1200V碳化硅模塊。該模塊使用創新的耐高溫材料,具備更高的工作虛擬結溫和更低損耗,採用全新PressFIT引腳,支持更高電流承載能力,有效降低PCB溫度,支持更長的系統壽命要求。

在熱泵領域,英飛凌展示了8kW 維也納 PFC 加雙電機控制板,它採用了英飛凌全套整體方案,包括MCU、功率器件、驅動芯片和電流傳感器等,具有集成度高的特點。從控制來講,由單顆PSOC™ C3 MCU完成壓縮機、風機和高頻Vienna PFC的控制;功率部分,由單顆ECONO2封裝模塊完成了Vienna PFC和壓縮機驅動,風機驅動也是業界最小尺寸的1200V IPM,最終實現非常緊湊的整體設計。

 

電動化出行:創新集成,重塑未來交通出行體驗

在交通出行展區,英飛凌重點展示了面向主驅、域控和底盤應用上的創新解決方案。

在主驅逆變器方面,英飛凌帶來了其嵌入式碳化硅方案,採用英飛凌新一代1200V G2p SiC嵌入印製電路板(PCB),可以有效降低系統雜散電感,支持SiC芯片快速地開關,提高系統效率,降低成本。此外,英飛凌推出了新一代塑封半橋模塊SSC,覆蓋750V和1200V電壓等級,電流覆蓋350Arms – 750Arms,模塊雜散電感<5nH,模塊內部集成Gen3 SiC芯片,並可以兼容GaN芯片。IGBT 半橋塑封模塊LFM採用了750V EDT3 IGBT芯片,芯片上集成溫度傳感器,可精確反饋芯片結溫。HybridPACK™ HD 模塊是英飛凌針對商用車新推出的半橋模塊,內部採用1400V SiC芯片,最大輸出電流可達1000Arms以上。

在域控和底盤應用領域,英飛凌展出了兩款重點產品48V 線控轉向系統電子控制器及48V STC 軟開關技術電源,向客戶全面展示其完整的全系車用48V半導體解決方案,覆蓋配電及驅動2個領域,涵蓋電源、主芯片MCU、CAN通訊收發器、48V預驅、48V MOSFET,以及部分48V傳感器。除芯片級產品解決方案之外,英飛凌還可提供整車級及零部件級整體48V系統架構參考解決方案。

 

賦能AI:創新電源管理,支撐可持續的算力未來

為應對AI應用激增帶來的能源挑戰,英飛凌推出覆蓋數字化轉型全價值鏈、從電網到AI芯片核心的高能效電源解決方案,提供包括電源供應單元(PSU)、電池備份單元(BBU)、中間母線轉換器(IBC)及負載點(POL)模塊等系統級供電產品。

其中展示的8kW PSU評估板選用了英飛凌最新的硅、碳化硅和氮化鎵功率器件,實現了高頻、高效、高功率密度的8kW電源轉換。而4kW BBU評估板創新地採用部分功率轉換架構,僅對部分負載功率進行升壓或降壓處理,再與電池串聯供電,這大幅降低了BOM成本與板面積佔用,提升了系統備份時長,進一步優化了轉換效率。1.5kW固定比例IBC模塊基於英飛凌專利HSC拓撲,將48V輸入按8:1固定比例轉換為6V輸出,轉換效率極高。此外,針對AI板卡熱插拔需求,英飛凌推出XDP710數字熱插拔控制器,支持客戶編程設定開關管的安全工作區(SOA)曲線,有效抑制插拔瞬態電流,提升系統可靠性。可現場通過評估板與GUI軟件聯動演示其靈活配置能力。

 

展會期間,英飛凌參與了由PCIM Asia主辦的六場論壇演講,與行業專家和領袖就碳化硅、氮化鎵、最新功率器件創新設計、電驅動系統創新、AI服務器電源解決方案以及固態開關等熱門話題進行了深入交流,並結合不同行業的挑戰與機遇,分享了前沿的創新成果與實踐經驗。這不僅展現了英飛凌在技術研發中的深厚積澱與創新潛力,更凸顯了其以技術推動低碳化與數字化發展的使命擔當,為行業的可持續發展注入了新動力。

本次展會充分展現了英飛凌在半導體技術領域的卓越創新能力及領先優勢,彰顯了其對推動技術創新的持續投入。與此同時,英飛凌以技術賦能低碳化與數字化發展,以實際行動踐行產業可持續發展的承諾。未來,英飛凌將攜手行業夥伴,探索更高效、更智能的半導體解決方案,為綠色低碳轉型注入新動能,共同創造可持續發展的美好未來。

Tags: 創新與研發

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