高性能內存和存儲集成於單個緊湊封裝中，加速智能手機的 5G 應用
2020 年 10 月 21 日，中國上海 —— 內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布量產業界首款基於低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 的通用閃存存儲（UFS）多芯片封裝產品 uMCP5。美光 uMCP5 將高性能、高密度及低功耗的內存和存儲集成在一個緊湊的封裝中，使智能手機能夠應對數據密集型 5G 工作負載，顯著提升速度和功效。該款多芯片封裝產品搭載美光 LPDDR5 內存、高可靠性 NAND 以及領先的 UFS3.1 控制器，實現了此前只在使用獨立內存和存儲芯片的昂貴旗艦手機上才有的高級功能。uMCP5 的出現使諸如圖像識別、高級人工智能（AI）、多攝像頭支持、增強現實（AR）和高分辨率顯示等最新技術能在中高端手機上予以普及，從而惠及更多的消費者。
美光高級副總裁兼移動產品事業部總經理 Raj Talluri 表示：“要將 5G 的潛力從宣傳層面變為現實，需要智能手機能夠應對通過網絡和下一代應用程序傳輸的海量數據。我們的 uMCP5 在單個封裝中結合了最快的內存和存儲，為顛覆性的 5G 技術帶來了更多可能，幫助消費者從容應對數據挑戰。”
美光 uMCP5 為 5G 生態系統帶來出類拔萃的速度和效率
本次發布是美光於今年三月宣布 uMCP5 出樣的延續，為移動市場設定了新標準，成為首款使用最新一代 UFS NAND 存儲和低功耗 DRAM 的多芯片封裝產品。如今的智能手機需要存儲和處理海量數據，這使基於 LPDDR4 的中端芯片組的內存帶寬變得捉襟見肘，帶來的後果是視頻分辨率降低、出現影響體驗的延遲，以及部分功能受限。
藉助 LPDDR5，美光將內存帶寬從 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒，即使在處理大數據量時，也可為移動用戶提供無縫、即時的體驗。
高通公司（Qualcomm）產品管理副總裁 Ziad Asghar 表示：“5G 為智能手機提供了前所未有的速度與雲連接。我們很高興看到 uMCP5 面世，為新一代手機帶來符合 5G 速度的內存，並保證了一流的遊戲體驗、差異化的攝像頭、AI 功能，以及更快的文件傳輸。”
uMCP5 專為下一代 5G 設備而設計，能輕鬆快速地處理和存儲大量數據，且無需在性能和功耗之間進行妥協。高性能的內存和存儲使 uMCP5 能夠充分支持 5G 下載速度，並同時運行更多應用程序。
美光 uMCP5 的主要特性包括：
- 續航時間大幅延長：在 uMCP4 的成功基礎上，美光將 LPDDR5 內存用於 uMCP5，實現了 5G 網絡的完全利用；與 LPDDR4 相比，功耗降低了近 20%。此外，美光的 UFS 3.1 功耗比其前代產品 UFS 2.1 減少 40％。對於智能手機用戶而言，即使在使用耗電的多媒體應用程序或數據密集型功能（如 AI、AR、圖像識別、遊戲、沉浸式娛樂等）時，也能有更長的續航時間。
- 下載速度快：與美光此前基於 UFS 2.1 的解決方案相比，美光 uMCP5 釋放了 5G 性能的全部潛力，持續下載速度可以加快 20％。
- 耐用度提升：美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了約 66％，可以允許 5,000 次擦寫，成倍增加了設備的可擦寫次數和數據量，而不會降低設備性能。即使對於重度手機用戶而言，也能有效延長智能手機的使用壽命。
- 業界領先的帶寬：採用 uMCP5 的設備最高將支持 6,400 Mb/s 的 DRAM 帶寬，與上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 帶寬相比，增加了 50％。這使移動用戶可以同時運行多個應用程序而不會影響體驗。增加的帶寬也使智能手機中的 AI 計算攝影獲得了更高質量的圖像處理，為用戶帶來專業的攝影能力。美光是業界首家支持全速 LPDDR5 的供應商。
- 最新閃存性能：美光 uMCP5 還採用了最快的 UFS 3.1 存儲接口，與其上一代 UFS 2.1 產品相比，順序讀取性能提高了一倍，寫入速度加快了 20％。
- 節省空間的緊湊設計：美光利用其多芯片封裝專業知識以及所掌握的製造和封裝技術，以最緊湊的尺寸設計 uMCP5，從而實現了更纖薄、更靈活的智能手機設計。與獨立版本的 LPDDR5 和 UFS 解決方案相比，美光 uMCP5 多芯片封裝可節約 55％ 的印刷電路板空間。節省的空間使手機製造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能，例如攝像頭、手勢元件或傳感器。美光可提供高達 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多個容量配置選擇。
